昭和電工は９月28日、高効率ＳｉＣパワー半導体デバイス事業をグローバルに展開している東芝デバイス＆ストレージ（東芝Ｄ＆Ｓ社）との間で、パワー半導体向けＳｉＣエピタキシャルウェハー（ＳｉＣエピウェハー）に関する、今後２年半（延長オプション付き）にわたる長期供給契約を締結したと発表した。
東芝Ｄ＆Ｓ社では、鉄道車両向けインバーターをはじめとする多種にわたるＳｉＣパワーデバイスを開発、事業化しており、同社のＳｉＣ ＳＢＤ、およびＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴに同社製ＳｉＣエピウェハーが採用されてきた。
今回の長期供給契約の締結は、同社製ＳｉＣエピウェハーの特性均一性、低欠陥密度などの優れた品質と同社の安定供給体制が評価されたことによるものであり、ＳｉＣエピウェハーの性能向上に向けた両社の技術的な協力関係を強化するものとなる。また、幅広いアプリケーション向けに先進的な開発を進める東芝Ｄ＆Ｓ社の製品に搭載されることで、同社のＳｉＣエピウェハー事業の一層の拡大が期待される。
同社グループは、世界最大（同社推定）のＳｉＣエピウェハー外販メーカーとして、「ベスト・イン・クラス」をモットーに急拡大する市場に高性能で高い信頼性の製品を供給し、電力損失や熱の発生が少なく省エネルギーなＳｉＣパワー半導体の普及に貢献していくとしている。
