豊田合成は３月15日、大阪大学と共同で、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた次世代パワー半導体（ＧａＮパワー半導体）向けの基板の大口径化（直径の拡大）に成功したと発表した。
パワー半導体は、産業機器や車、家電などの電力制御に幅広く使われている。現在、社会全体でのカーボンニュートラル実現に向け、再生可能エネルギーや電動車の大きな電力を制御する際の電力ロスを低減できる次世代パワー半導体の実用化・普及拡大が期待されている。その１つであるＧａＮパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上（コスト低減）の実現に向け、ＧａＮ基板の高品質化・大口径化が求められている。
今回、同社と大阪大学は、環境省が主導するプロジェクトにおいて、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でＧａＮの結晶を成⾧させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し、世界最大級となる６インチを超える高品質なＧａＮ基板（ＧａＮ種結晶）を作製した。同社は今後、６インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化（6インチ以上）を進めていくとしている。
６インチ超ＧａＮ基板（ＧａＮ種結晶）
パワー半導体の作製プロセス
活用が期待される領域
