レゾナックは１月４日、同社の６インチ（１５０ｍｍ）ＳｉＣ単結晶基板が、「２０２２年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞」を受賞したと発表した。
同社は、ＳｉＣパワー半導体に不可欠なＳｉＣエピタキシャルウェハー（ＳｉＣエピウェハー）の量産を２００９年に始めた。特性均一性、低欠陥密度などの優れた品質が国内外のデバイスメーカーから高い評価を得て、同社はＳｉＣエピウェハーで外販メーカートップの世界シェアを有している。
今回「２０２２年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞」を受賞した６インチＳｉＣ単結晶基板は、ＳｉＣエピウェハーの主材料となっており、ＳｉＣエピウェハーの品質向上や安定供給体制の構築を目的に、同社は昨年、国内で初めて量産を開始した。
ＳｉＣパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体に比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして注目され、とくに電気自動車（ＥＶ）や再生可能エネルギー分野などの各種産業用途での需要が急拡大している。同社グループは「共創型化学会社」として、グローバル社会の持続可能な発展への貢献をめざし、エネルギー効率化を実現するＳｉＣエピウェハーを次世代事業と位置付けて注力している。
なお、同社は２０２２年９月に、自社製ＳｉＣ単結晶基板を使用した２００ｍｍ ＳｉＣエピウェハーのサンプル出荷を開始している。また、さらなる高品質化に向けて、グリーンイノベーション基金事業にて研究開発を進めている。今後も同社は「ベスト・イン・クラス」をモットーに、高性能で高い信頼性の製品を供給することで、ＳｉＣパワー半導体の普及に貢献していくとしている。
ＳｉＣ単結晶基板（右）
