ＢＡＳＦ、チャイナプラス出展　ウルトラミッドアドバンスト

　ＢＡＳＦは４月５日、高性能パワーエレクトロニクスを実現するＩＧＢＴ半導体用Ｕｌｔｒａｍｉｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ（ウルトラミッドアドバンスト）ＮをＣｈｉｎａｐｌａｓ２０２３で展示すると発表した。

　同社は、パワーエレクトロニクスのスマート技術化と小型化を実現するために、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）半導体の筺体製造に特に適したＰＰＡ（ポリフタルアミド）を提供している。レーザー感度の高いＵｌｔｒａｍｉｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｎ３Ｕ41　Ｇ６　ＬＳは難燃性の非ハロゲン化合物であり、抜群の熱安定性と低吸水性、および優れた電気特性を備えている。

　優れた耐薬品製と寸法安定性によって、同社のＵｌｔｒａｍｉｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｎグレードは、電動自動車、高速鉄道、太陽光および風力エネルギー、スマートマニュファクチュアリングにおけるＩＧＢＴの堅牢性、持続性、信頼性を高め、省エネルギー、軽量化、アプリケーションの小型化というニーズに対応していく。

　困難な条件で機能するには、優れた電気絶縁性、堅牢な難燃性、正確な寸法安定性、および熱と湿気に対する長期耐久性を備えた材料が必要だが、Ｕｌｔｒａｍｉｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｎ（ＰＡ９Ｔ）は、機械的強度を維持しながら、温度上昇や高電流に耐えられるよう最適化されているため、これらの課題にも対応できる。

チャイナプラスで展示