東海カーボンが契約締結　仏企業とＳｉＣ基盤開発

　Ｓｏｉｔｅｃと東海カーボンは５月22日、Ｓｏｉｔｅｃ　Ｓｍａｒｔ　ＳｉＣウエハ用に設計されたｐｏｌｙ－ＳｉＣ基板の開発・供給における戦略パートナーシップ契約を締結したと発表した。
　　ＳｉＣは革新的な化合物半導体であり、Ｓｍａｒｔ　ＳｉＣ技術による基板は、高度な技術と優れたコスト効率を提供し、環境フットプリントも改善することで、電動モビリティや工業、スマートグリッド用途におけるＳｉＣ製品の採用を加速させる。
　東海カーボンは、ｐｏｌｙ－ＳｉＣ製品開発において独自の技術を蓄積しており、ＳｏｉｔｅｃのＳｍａｒｔ　ＳｉＣ技術に準拠したｐｏｌｙＳｉＣ粗ウエハ製造のためのｐｏｌｙ－ＳｉＣ製品仕様の使用許諾を受け、Ｓｍａｒｔ　ＳｉＣに最適化した基板を提供する。
　今回の提携により、東海カーボンは１５０ｍｍおよび２００ｍｍのｐｏｌｙ－ＳｉＣ 基板をＳｏｉｔｅｃに供給し、両社は、高度な研究開発能力を活用してＳｍａｒｔ　ＳｉＣのエコシステムを高度化する。
　東海カーボンの技術・生産能力は、Ｓｏｉｔｅｃ　Ｓｍａｒｔ　ＳｉＣに準拠した ｐｏｌｙＳｉｃウエハのＳｏｉｔｅｃ仕様と相まって、Ｓｍａｒｔ　ＳｉＣウエハの世界的な拡大に戦略的に寄与するものとなる。
　Ｓｏｉｔｅｃ最高業務責任者のシリル・メノン氏は、「今回の東海カーボンとの提携は、ＳｏｉｔｅｃのＳｍａｒｔＳｉＣ技術のさらなる進化をもたらす重要なステップとなり、急拡大する市場である電動モビリティや産業の電装化へ対応するものとなる。東海カーボンのＳｉＣ製品におけるトップ品質や研究開発力がＳｏｉｔｅｃの革新的なＳｍａｒｔＳｉＣ技術と組み合わさることで、電動モビリティやその他ＳｉＣ技術の世界的な普及を加速させることに繋がる。これはＳｍａｒｔＳｉＣのエコシステムの認知と価値創造における重要なマイルストーンとなる。」とコメントしている。
　東海カーボン代表取締役社長の長坂一氏は、「今回、Ｓｏｉｔｅｃに供給する多結晶ＳｉＣ基板は、当社ソリッドＳｉＣ製品シリーズの戦略製品。長年の研究開発が、このような形で結実することは喜ばしい。今後拡大が見込まれるＳｉＣ半導体市場を睨み大きな期待が持てる製品。Ｓｏｉｔｅｃとのパートナーシップは、持続可能な社会の実現への貢献という意味でも大変意義あることと考える。」とコメントしている。