旭化成は６月４日、半導体パッケージの高密度化を実現する絶縁膜用組成物の発明（特許第５８４１３７３号）が、発明協会主催による令和６年度全国発明表彰の「経済産業大臣賞」を受賞したと発表した。
電子デバイスの性能を向上するためには、半導体パッケージの高密度化による寄与が大きく、最先端スマートフォン等の高性能チップへの適用が期待されており、高密度Ｆａｎ－Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ（高密度ＦＯ－ＷＬＰ）構造を採用することで、既存のＦＣ－ＢＧＡ構造よりも処理速度の高速化が可能になる。
しかし、高密度ＦＯ－ＷＬＰ構造では、低温硬化が必要なことに加え、パッケージの大面積化や再配線層の層数増加に伴う異種材料間の熱膨張率差により、再配線層にかかる応力が大きくなるため、銅配線と絶縁樹脂間は剥離し易い問題があった。さらに、銅密着性と銅配線の劣化防止（防錆性）の両立も必要であり、既存の再配線層用の絶縁樹脂では、これらを満たすことができず、結果として高密度ＦＯ－ＷＬＰ構造の実用化には至っていなかった。
同発明は、高密度ＦＯ－ＷＬＰの再配線層に用いられる絶縁膜用組成物に関するもので、既存の再配線層用絶縁樹脂における課題解決に寄与するものとなる。
同発明の発明者らは、ポリイミド前駆体組成物に特定のプリン誘導体を添加することで、低温硬化でも銅への高い密着性を示し、かつ、防錆性を高いレベルで両立できる絶縁膜用組成物を見出した。さらに、さまざまな解析を通じて、このプリン誘導体が従来使用していた含窒素芳香族化合物とは異なるメカニズムで、密着性と防錆性の向上に寄与していることを解明した。
同発明の絶縁膜用組成物は、世界の最先端スマートフォンに使用され、一段とその適用範囲は広がり、日本の材料技術が電子デバイスの進化を牽引している代表的な例となっている。また、樹脂と銅の接着性は広く電子部品分野で問題となっており、同発明およびそのメカニズムの解明は、今後のさまざまな電子材料開発への貢献も期待されていることから同受賞に至った。
経済産業大臣賞の受賞は、同社ライフイノベーション事業本部電子マテリアル事業部電子材料技術開発部の藤田充氏、平田竜也氏、森田涼子氏、発明実施功績賞は工藤幸四郎氏（同社代表取締役社長兼社長執行役員）となる。
同発明の実用製品パイメル
