レゾナックは９月24日、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテック社と、パワー半導体に使用する２００ｍｍ（８インチ）炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウェハー（ＳｉＣエピウェハー）の材料となる８インチＳｉＣ貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したと発表した。
同社の高品質なＳｉＣ単結晶基板とソイテック社の基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、８インチＳｉＣウェハーの生産性を向上し、ＳｉＣエピウェハービジネスでのサプライチェーンの多様化を目指す。
パワー半導体は、電動車（ｘＥＶ）や産業機器などのパワーアプリケーションにおいて、幅広い用途で採用され、今後さらなる市場規模の拡大が見込まれている。特に、ＳｉＣはシリコン（Ｓｉ）に比べ、電力変換時の電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギー化に貢献するため、需要が急拡大している。しかしながら、ＳｉＣパワー半導体の主要材料となるＳｉＣ単結晶基板は、均一な結晶であることが求められ、その生産には、高度な技術が必要、かつ結晶成長に時間を要することから、生産性向上が課題となっている。
同社は、ＳｉＣ単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたＳｉＣエピウェハーを生産しており、世界最高水準の品質として、国内外のデバイスメーカーから高い評価を得ている。また、８インチの大口径化を進めており、サンプル出荷を開始している。
ソイテック社は、高品質なＳｉＣ単結晶基板を加工し、その加工面をサポート基板となる多結晶ＳｉＣウェハーに貼り合わせ、単結晶基板を薄膜分割することで、１枚のＳｉＣ単結晶基板から複数の高品質ＳｉＣウェハーを生産する独自技術（ＳｍａｒｔＳｉＣ技術）を保有している。この技術は、生産性の向上に加え、ＳｉＣウェハー製造時のＣＯ２排出量を最大70％削減できるため、環境負荷および、コスト面においてもメリットがある。
貼り合わせ基板技術は、Ｓｉウェハーにおいて既に実用化されており、ソイテック社は同技術実用化の知見を有している。
同共同開発において、同社は、ソイテック社にＳｉＣ単結晶を供給し、ソイテック社は、その単結晶を使ってＳｉＣ張り合わせ基板を製造する。両社の共創により、８インチＳｉＣウェハーの生産性を向上し、ＳｉＣエピウェハービジネスでのサプライチェーンの多様化を目指す。
ＳｉＣエピウェハー
