東ソーは10月29日、窒化ガリウム（ＧａＮ）スパッタリングターゲット材を開発し、同社グループの東ソー・スペシャリティマテリアルにて製造を開始したと発表した。
ＧａＮは、照明向けＬＥＤや小型急速充電器向け部品などで活用している半導体薄膜材料。既存の材料よりもエネルギー損失が低く省エネ効果が高いことから、データセンター向けパワー半導体、ウエアラブルディスプレイ向けマイクロＬＥＤなどの用途で市場成長が見込まれている。
ＧａＮ半導体製造時の薄膜形成方法はＣＶＤ法（気相成長法）が主流だが、使用する設備や材料のコストが高いことが課題だった。同社はこれらの課題を解決するため、製造コストの低いスパッタリング法への置換えに向けたターゲット材の開発を行った。
同社が開発したＧａＮターゲット材は、独自の合成・焼結技術による純度の高さが特徴で、ＣＶＤ法と同等の高結晶性ＧａＮの成膜が可能となる。現在は装置メーカーによる評価が進んでおり、また大学からも研究用に引き合いが活発化している。
同社は、コスト優位性のあるスパッタリング法への置換えによる新たなターゲットビジネスを創出し、今後成長が期待される市場でのシェア拡大を図るとともに、半導体製造の低コスト化・省エネ化に貢献していく。
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