プログラム

１．ナノインプリントの概要
　1.1 ナノインプリントとは
　　1.1.1 ナノインプリントの歴史と経緯
　　1.1.2 熱/光ナノインプリント
　　1.1.3 リバーサルナノインプリント/ハイブリッドナノインプリント
　1.2 ナノインプリントの特徴と応用領域
　　1.2.1 解像性
　　1.2.2 材料、形状の多様性
　　1.2.3 三次元構造への可能性
　　1.2.4 ナノインプリントの成立要件
　1.3 応用領域
　1.4 まとめ

２．熱ナノインプリント,ダイレクトナノインプリント
　2.1 熱、ダイレクトナノインプリントの原理
　　2.1.1 形状・構造依存性
　　2.1.2 形状、膜厚依存性
　　2.1.3 高アスペクト比構造、レンズ構造へのナノインプリント
　　2.1.4 圧力・時間依存性
　2,2 多様な材料へのダイレクトナノインプリント
　　2.2.1 ガラス材料へのナノインプリントとプロセスシーケンス
　　2.2.2 金属材料へのナノインプリントと圧力分布
　　2.2.3　有機半導体へのナノインプリント
　　2.2.4 セラミック材料へのナノインプリント
　2.3 分レベルの挙動と限界解像性
　　2.3.1 分子動力学解析　
　　　2.3.2 分子量と分子径
　　　2.3.3 分子量と解像性
　2.4 まとめ

３．UV(光)ナノインプリント
　3.1 レジスト充填プロセス
　　3.1.1 気泡のトラップと表面状態
　　3.1.2 凝縮性ガス雰囲気による気泡の排除
　3.2 UV照射プロセスと回折・干渉
　　3.2.1 UV照射によるレジストの露光状態
　　3.2.2 回折、干渉による欠陥発生
　3.3 UV硬化プロセス
　　3.3.1 重合反応と硬化特性
　　3.3.2 照射強度、照射時間依存性
　　3.3.3 重合の進展とレジスト収縮、密着性
　3.4 分子レベルの硬化特性
　　3.4.1 硬化特性のモデル化と収縮状態　　
　3.5 まとめ

４．離型
　4.1 離型のメカニズム
　　4.1.1 破壊力学と離型
　　4.1.2 離型のメカニズムと離型力
　　4.1.3 傾斜パターンの離型力
　　4.1.4 密着力と静止摩擦力の依存性
　　4.1.5 モールド/レジストの材料特性と離型力
　4.2 離型欠陥の低減
　　4.2.1 モールド表面処理による表面エネルギーの低減
　　4.2.2 偏析剤による表面エネルギーの低減
　　4.2.2 機械的離型方法の依存性
　4.3 AR/VR用光導波路構造形成と離型
　　4.3.1 傾斜型回折格子の離型
　　4.3.2 各種離型方法の比較
　4.3分子レベルの離型挙動
　　4.3.1 離型状態の分子量依存性

5. 三次元構造の作製
　5.1リバーサルナノインプリントによる三次元積層構造作製
　　5.1.1 リバーサルモードとトランスファモード
　　5.1.1 リバーサルモードによる三次元配管構造の作製とデバイス応用
　　5.1.2 トランスファモードによる三次元積層構造の作製とデバイス応用
　5.2 ハイブリッドナノインプリントによるマイクロ・ナノ混在構造の作製
　　5,2,1 ハイブリッドナノインプリント法
　　5.2.2 ハイブリッドナノインプリントによるマイクロ・ナノ混在構造とデバイス応用
　5.3 まとめ

6. ナノインプリントの応用
　6.1 ナノインプリントの性能・機能と応用分野
　6.2 光学要素への応用
　　6.2.1 反射防止膜、波長版への応用
　　6.2.2 ディスプレイデバイスへの応用
　　6.2.3 構造色、照明系への応用
　　6.2.4 AR/VR用導波路への応用と求められる要件
　　6.2.5 メタサーフェイス/メタレンズへの応用
　　6.2.6 その他光学応用
　6.3 電子デバイスへの応用
　　6.3.1 LED素子への応用
　　6.3.2 微小トランジスタの作製
　　6.3.3 その他電子素子への応用
　6.4 半導体集積回路への応用
　　6.4.1 EUVとナノインプリント
　　6.4.2 ロジック回路への応用
　　6.4.3 メモリーへの応用
　　6.3.4 その他プロセスへの応用
　6.5 バイオ応用
　　6.5.1 撥水・撥油構造
　　6.5.2 バイオチップへの応用
　　6.5.3 サステナブルへの取り組み
　6.6 最近の学会・展示会での動向から
　　6.6.1 メタバース、AR/VRデバイスへの取り組み
　　6.6.2 半導体前工程、後工程への取り組み
　　6.6.3 その他

7. 今後の展開と課題